• (邀请报告)李贤斌，相变信息存储器的高通量材料筛选研究，第二十三届全国半导体物理会议，西安，2021年7月8日-11日。
• (邀请报告)李贤斌，相变信息存储器的材料筛选与缩微极限下工作过程的研究，第十届国际分子模拟与人工智能应用学术会议，苏州，2021年5月29日-30日。
• (Poster) Nian-Ke Chen, Xian-Bin Li, Ultrafast structure transition of GeTe under optical excitation: TDDFT-MD studies, ACS Spring 2021 (美国化学会春季年会), Online, April 5-30, 2021.
• (邀请报告) 李贤斌，相变信息存储器的低功耗相变过程计算设计,学术兼基金申报报告，青岛大学电子信息（微纳技术）学院，线上报告，2021年2月1日。

• (邀请报告) 李贤斌，相变信息存储器的低功耗相变过程计算设计，武汉大学第一届青年科学家论坛(主题：光物理、光电材料和功能器件)，武汉，2020年11月27日-29日。
  
• (邀请报告) 李贤斌，相变信息存储器的低功耗相变过程计算设计，吉林省物理学会计算物理研讨会，线上报告，2020年11月14日。
• (Invited Talk) Xian-Bin Li, Material Searching and Design for Phase-Change Memory Devices, 15th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, Online, November 3-6.
• (邀请报告) 李贤斌，相变信息存储器的半导体材料物理研究，集成光电子学国家重点实验室第三十次学术委员会会议，北京，2020年10月10日-11日

• (Invited Talk) Xian-Bin Li, Investigation of Phase-Change-Memory Materials for Ultrafast Optical/Electrical Storage, International Photonics and OptoElectronics Meetings (POEM), Wuhan, China, 2019 November 11-14.
• (邀请报告) 李贤斌，TDDFT Molecular Dynamics for Unconventional Phase Transition in Phase-Change Memory GeTe, 粤港澳交叉科学中心激发态动力学会议, 东莞, 2019年10月18日-20日。
• (邀请报告) 李贤斌，相变信息存储器的低功耗相变过程计算设计，中国物理学会2019秋季学术会议，郑州，2019年9月19日-22日。
• (Invited Talk) Xian-Bin Li, Investigation of Fast Order-to-Order Transition for Phase-Change-Memory Materials, ChinaNano 2019, Beijing, China, August 17-19.
• (邀请报告) 李贤斌，相变信息存半导体的物性探索与器件设计，第二十二届中国半导体物理学术会议，杭州，2019年7月9日-12日。
• (邀请报告) 李贤斌，相变信息存储器件的材料物理研究，第四届理论、计算与模拟长春论坛，长春，2019年6月23日。
• (Invited Talk) Xian-Bin Li, Investigation of Order-to-Order Transition for Phase-Change-Memory Materials, MRS Spring 2019, Phoenix, Arizona, USA., April 22-26.

• (邀请报告) 李贤斌，相变信息存储半导体的物性探索与器件设计，原子制造青年论坛，南京，2018年12月14日-17日。
• (邀请报告) 李贤斌，相变信息存储半导体的原子尺度物性探索与器件设计，第二届全国半导体青年学术论坛，郑州，2018年10月26-28日。
• (Invited Talk) Xian-Bin Li, Physical property exploration on the optoelectronic phase change memory semiconductors and related device design, The International Conference on Optoelectronics and Measurement, Hangzhou, China, October 19-21.
• (Invited Talk) Xian-Bin Li, Understanding Metal-Insulator-Transition (MIT) Mechanism for GeSbTe Superlattice, The 2nd Sino-German Symposium on Electronic and Memory, Xian, China, September 5-7, 2018.
• (邀请报告) 李贤斌，光电相变存储半导体的物性探索与器件设计，中国真空学会学术年会，长春，2018年8月17日。
• (邀请报告) 李贤斌，光电相变存储半导体的物性探索与器件设计，新颖材料计算设计与发掘前沿会议，长春，2018年8月3日。
• (邀请报告) 李贤斌，光电相变存储半导体的物性探索与器件设计，全国第18次光纤通信暨第19届集成光学学术大会，长春，2018年7月15日

• （海报）王默然，有机-无机杂化钙钛矿中电子激发对氢键和晶格的调控，2017中国光学学会学术大会，2017年8月11日-13日。
• （海报）任向阳，面向光电应用的硼碳氮二维半导体第一性原理研究，2017中国光学学会学术大会，2017年8月11日-13日。
• （口头报告）王丹，二维半导体中带电缺陷评价方法普适化拓展的理论研究，第二十一届全国半导体物理学术会议，南京，2017年7月19日-21日。
• （口头报告）陈念科，信息存储合金锗锑碲非晶态中的强极化结构单元，第二十一届全国半导体物理学术会议，南京，2017年7月19日-21日。
  
• （口头报告）王雪鹏，空位有序立方相锗锑碲准二维非晶化及其在相变存储中的潜在应用，第二十一届全国半导体物理学术会议，南京，2017年7月19日-21日。

• (Poster) Xue-Peng Wang, Bin Zhang, Xiao-Dong Han, Sheng-Bai Zhang and Xian-Bin Li, Vacancy Structures and Melting Behavior in Rock-Salt GeSbTe, European symposium on Phase-Change and Ovonic Sciences (EPCOS 2016), September 4 - 6, 2016, London, United Kingdom.
• (Invited Talk) Xian-Bin Li, Optical/electrical phase-change memory semiconductors: Working principle and new design, 33rd International Conference on the Physics of Semiconductors, July 31- August 5, Beijing, China.
• (Oral Report) Dan Wang, The Evaluation of Charged Defects in Two-Dimensional Materials, 33rd International Conference on the Physics of Semiconductors, July 31- August 5, Beijing, China.
• (Poster) Nian-Ke Chen, Ultrafast laser excitation induced quantum electronics forces and stresses for semiconductor lattice control, 33rd International Conference on the Physics of Semiconductors, July 31- August 5, Beijing, China.
• (Poster) Xue-Peng Wang, Vacancy ordering driven melting behavior in cubic GeSbTe, 33rd International Conference on the Physics of Semiconductors, July 31- August 5, Beijing, China.

• (Poster) Dan Wang, Determination of Formation and Ionization Energies of Charged Defects
  in Two-Dimensional Materials, 2015 Materials Research Society Fall Meeting, Nov. 29-Dec. 4, 2015, Boston, Massachusetts,USA 
• (Poster) Dan Wang, Xian-Bin Li, Damien West, Hong-Bo Sun, and S. B. Zhang, Evaluation of Charged Defects in Two-dimensional materials, The 5th International Workshop on Quantum Energy, Oct. 13 - Oct. 16, 2015, Hangzhou, Zhejiang, China.
• (Poster) Hui Zheng, Xian-Bin Li, S. B. Zhang, Hong-Bo Sun, Monolayer II-VI semiconductors: A first-principles prediction, The 5th International Workshop on Quantum Energy, Oct. 13 - 16, 2015, Hangzhou, Zhejiang, China
• (Poster) Nian-Ke Chen, Xue-Peng Wang and Xian-Bin Li, Atomic Bonding Origin of the High Data Retention of Ge1Cu2Te3 Phase-Change Material, The 15th Non-Volatile Memory Technology Symposium (NVMTS2015), Oct.11-Oct.14 2015, Beijin, China. 
• (Poster) Xian-Bin Li，Electronic excitation effects on the phase change of Ge2Sb2Te5 and bonding effects on the high data retention of Ge1Cu2Te3，European/Phase Change and Ovonics Symposium Sep. 7th-9th (2015), Amsterdam, Netherland 
• （邀请报告）李贤斌，面向非挥发信息存储技术应用的硫族半导体相变机制的第一性原理研究，第二十届全国半导体物理学术会议，临汾， 2015年7月16日-19日。
• （邀请报告）王丹，二维半导体中带电缺陷性能评价方法研究，第二十届全国半导体物理学术会议，临汾， 2015年7月16日-19日。
• （海报）陈念科，信息存储合金锗铜碲非晶热稳定性的物理起源探索，第二十届全国半导体物理学术会议，临汾， 2015年7月16日-19日。
• （口头报告）郑慧，II-VI族类石墨烯二维半导体稳定体系的第一性原理探索，第二十届全国半导体物理学术会议，临汾， 2015年7月16日-19日。
• （海报）杜家仁，长波红外窗口(8-12μm)可透性光学材料的第一性原理搜索，第二十届全国半导体物理学术会议，临汾， 2015年7月16日-19日。

• (口头报告)王雪鹏，陈念科，李贤斌，面向相变存储应用的非晶界面增强碲化锑非晶稳定性机理的第一性原理研究。第六届全国信息光学与光子学学术会议，中国，长春，2014年7月22-27日。
• (poster)Xue-peng Wang, Nian-ke Chen, Xian-bin Li, First principle study of electric field induced hex-GeTe phase change. 2nd International Workshop on Ultrafast Laser Optoelectronics，Changchun, China, July 2, 2014. 
• (poster) Hui Zheng, Xian-bin Li, Monolayer Honeycomb Structures of Group II-VI Binary Compounds System: Electronic Structure. 2nd International Workshop on Ultrafast Laser Optoelectronics，Changchun, China, July 2, 2014.

• (poster) Xue-peng Wang, Nian-ke Chen, Xian-bin Li*, Mechanism of Si enhancing storage stability in amorphous Sb2Te3 bit for optical/electrical phase change memory. International Workshop on Ultrafast Laser Optoelectronics, Changchun, China, July 10, 2013.
• （海报）王雪鹏，陈念科，李贤斌*，面向信息存储应用的非晶硅与非晶碲化锑界面特性的第一性原理研究。第十九届全国半导体物理学术会议，中国，威海，2013年7月14-18日。

• （口头报告）陈念科，信息存储合金Ge2Sb2Te5在电子激发诱导量子应力下的非热相变特性研究，第十九届全国半导体物理学术会议，威海， 2013年7月14日-18日